全自動永久鍵合機 WT-WIBP-12
對應高密度互連、表面活化與多層堆疊製程需求
商品編號：WT-WIBP-12
商品簡述：
WT-WIBP-12
晶圓尺寸 / Wafer Size：
≤ 300mm(6~12")
鍵合壓力 / Bonding Force：
≤ 100kN
鍵合溫度/Bonding Temperature：
≤ 550°C(Option: 650°C)
Chamber Vacuum :
10⁻⁵ mbar(Option: 10⁻⁶ mbar)
Bonding Method：
Thermal Compression Bonding
Fusion Bonding
Anodic Bonding
Eutectic Bonding
Adhesive Bonding
Target Applications
- 3D IC · SiP · HBM · SoIC · permanent bonding · hybrid bonding