混合鍵合設備主要用於 HBM、SoIC、3D IC 與高密度異質整合製程。相較於傳統微凸塊互連，混合鍵合可在更小間距下實現金屬與介電質界面的同步鍵合，提升互連密度、訊號傳輸效率與封裝厚度控制能力，是先進封裝往高頻寬、低功耗與高整合度發展的重要製程方向。
混合鍵合的核心挑戰包括表面潔淨度、粒子控制、表面活化、對準精度、平坦度與鍵合後界面可靠性。製程通常需要搭配 plasma activation、高精度 alignment、inspection 與低污染搬運模組，確保 Cu-Cu 接點與介電質界面在低缺陷條件下完成鍵合。
時轉科技 WT-WIBH 系列混合鍵合設備整合對準、電漿活化、檢測與機械分離模組，可依照 wafer size、alignment accuracy、inspection accuracy、表面活化條件與高密度互連需求進行配置，適合 HBM、SoIC、3D IC 與下一世代異質整合製程開發。
