永久鍵合設備主要用於晶圓級堆疊、異質材料整合、感測器封裝與系統級封裝製程。不同於臨時鍵合以「製程中暫時支撐」為目的，永久鍵合會成為最終元件結構的一部分，因此更重視鍵合界面的長期可靠度、平面度、氣密性、熱穩定性與機械強度。
在 3D IC、SiP、CIS、MEMS、光學元件與真空封裝應用中，永久鍵合需要依照材料組合與封裝目的選擇不同鍵合方式。例如熔融鍵合適合高潔淨、高平坦度的 Si-Si 或介電質界面；陽極鍵合常用於玻璃與矽材料的氣密封裝；熱壓、共晶與金屬鍵合則適合需要電性導通、散熱或高結構強度的封裝架構；黏著鍵合則具備較高的材料相容性與製程彈性。
時轉科技 WT-WIBP 系列永久鍵合設備可支援 8 吋與 12 吋晶圓平台，並依照 bonding force、bonding temperature、vacuum level、壓力均勻性與鍵合方式進行配置。透過穩定的溫度控制、壓力控制、真空環境與晶圓搬運整合，協助客戶導入 3D IC、SiP、CIS、MEMS 與高可靠度晶圓級封裝製程。
