永久 / 混合鍵合設備主要用於晶圓級堆疊、3D IC、SiP、HBM、SoIC、CIS、MEMS 與異質整合製程。相較於臨時鍵合，永久鍵合與混合鍵合的目的不是提供後續加工支撐，而是讓兩片晶圓、晶片或材料層形成長期穩定的結構連接、電氣連接或密封介面。
永久鍵合可依材料與應用需求，採用熱壓鍵合、熔融鍵合、陽極鍵合、共晶鍵合或黏著鍵合等方式，重點在於鍵合強度、平面度控制、溫度與壓力均勻性，以及多層堆疊後的結構可靠性。混合鍵合則進一步結合金屬與介電質界面，透過表面活化、精密對準與低污染製程，支援高密度互連與先進封裝需求。
時轉科技提供 WT-WIBP 永久鍵合系列與 WT-WIBH 混合鍵合系列，可依照 wafer size、bonding temperature、bonding force、vacuum level、alignment accuracy 與 plasma activation 需求進行配置，協助客戶導入 3D IC、HBM、SoIC、CIS、MEMS 與高階異質整合製程。
