晶圓解鍵合設備主要用於 temporary bonding 製程完成後，將 device wafer 與 carrier 進行低損傷分離，並搭配清洗、撕膜或殘膠處理模組，確保薄晶圓在後續製程或封裝前維持良好的表面品質與結構完整性。
依照膠材系統、晶圓厚度、製程溫度與產品應用不同，解鍵合方式可分為熱滑移解鍵合、雷射解鍵合、雷射撕膜解鍵合與清洗整合方案。熱滑移解鍵合適合部分化合物半導體、蠟材或熱敏感膠材系統，重點在於低應力滑移分離與薄晶圓保護。雷射解鍵合則常用於 CoWoS、HBM、TSV、Power Device、SiC 與超薄晶圓製程，透過特定波長雷射作用於 release layer 或 laser release glue，完成 carrier 分離。
時轉科技提供 WT-WIDS、WT-WIDL、WT-WIDF 等晶圓解鍵合平台，可依照客戶製程選擇熱滑移、雷射分離、carrier lift-off、plasma 處理、wet clean 或 peel-off 除膠模組，形成完整的晶圓鍵合與解鍵合製程方案。
