光固化臨時鍵合設備主要用於 IGBT、MOSFET、Power IC、SiC 等功率元件晶圓薄化與背面製程。此類製程通常重視低壓貼合、低熱負載、UV 快速固化與後續低損傷解鍵合，適合搭配可雷射分離與 peel-off 的膠材系統。
相較於熱固化臨時鍵合，光固化路線通常不追求最高等級的長流程耐熱支撐，而是追求足夠支撐力與更低的解鍵合損傷風險。對於已完成正面元件結構的功率半導體晶圓，低壓、低應力與低殘膠特性可降低 passivation、metal pad、polyimide 或薄晶圓本體在後續分離過程中的風險。
時轉科技 WT-WIBU 系列支援 UV 365 / 405 nm 光固化製程，可對應 8 吋與 12 吋晶圓臨時鍵合應用。搭配 WT-WIDF 雷射及撕膜解鍵合設備，可形成從光固化鍵合、背面製程、雷射分離到 peel-off 除膠的完整功率元件製程方案。
