熱固化臨時鍵合設備主要用於 CoWoS、HBM、TSV、2.5D / 3D IC、SiC / GaN 晶圓薄化等製程中的暫時支撐。此類應用通常包含 grinding、CMP、PVD、CVD、蝕刻、TSV reveal、介電層固化與多段熱循環，對膠層穩定性、TTV、warpage 與 bonding shift 有較高要求。
相較於光固化路線，熱固化臨時鍵合更重視長流程中的耐熱性、耐化學性、低 outgassing、低 creep 與幾何穩定性。透過塗布、烘烤、預鍵合、真空鍵合與冷卻控制，可協助晶圓在後續高負載製程中維持穩定支撐，降低薄晶圓破片、翹曲與製程漂移風險。
時轉科技 WT-WIBT 系列提供 8 吋與 12 吋熱固化臨時鍵合平台，可依照 wafer size、bonding force、bonding temperature、TTV 要求與膠材系統進行配置，適合先進封裝、化合物半導體與晶圓級支撐製程導入。
