雷射解鍵合設備主要用於臨時鍵合後的 carrier 分離製程，透過 355 nm、1064 nm 或其他雷射波長作用於 release layer 或 laser release glue，使 device wafer 與 carrier 在低機械接觸條件下完成分離。此類製程可降低薄晶圓直接剝離風險，適合高價值晶圓、超薄晶圓與先進封裝製程導入。
依照膠材與應用不同，雷射解鍵合可搭配濕法清洗、plasma 處理或 peel-off 撕膜除膠。
- CoWoS、HBM、TSV、2.5D / 3D IC 等先進封裝製程通常重視殘膠清除、particle 控制與長流程後的表面潔淨度，適合搭配雷射分離、carrier lift-off、plasma 與 wet clean 模組。
- Power Device、IGBT、MOSFET、SiC 等應用則常搭配 UV 光固化膠材與 peel-off 除膠路線，重點在於低殘膠與低損傷分離。
時轉科技 WT-WIDL 與 WT-WIDF 系列雷射解鍵合設備可依照製程需求配置雷射模組、載片分離、wet clean、plasma treatment、peel-off film removal 與薄晶圓搬運模組，支援 8 吋與 12 吋晶圓級解鍵合應用。
