依市場應用與核心製程需求，快速對應適合的鍵合 / 解鍵合設備平台
不同半導體應用對晶圓尺寸、材料特性、膠材系統、解鍵合方式、清洗條件與鍵合精度皆有不同需求。時轉科技依市場應用與核心製程需求，將臨時鍵合、解鍵合、永久 / 混合鍵合與面板級平台進行矩陣化整理，協助客戶快速判斷適合的設備方向。

本頁選型矩陣可作為初步設備評估參考；實際設備配置仍需依晶圓尺寸、載板材料、膠材系統、製程溫度、解鍵合條件與產能需求進一步確認。
AI / HBM / CoWoS

對應 DRAM 晶圓薄化、TSV 堆疊、先進封裝背面製程與高密度整合需求，可依製程條件評估臨時鍵合、雷射解鍵合與永久 / 混合鍵合平台。

InP / GaN / GaAs

對應化合物半導體高硬脆材料薄化、低應力鍵合與熱滑移分離需求，適合依材料特性與晶圓尺寸進行設備配置。

SiC / Power Device

對應 SiC、IGBT、MOSFET 與功率元件背面製程，可依 UV 膠材、晶圓厚度與撕膜 / 雷射解鍵合需求選擇設備平台。

3D IC / SiP / CIS / MEMS

對應晶圓級堆疊、真空封裝、永久鍵合、混合鍵合與異質整合應用，重點在對位、表面狀態與鍵合穩定性。

FOPLP / CoPoS

對應 310 / 510 平台、大尺寸載板鍵合、翹曲控制、雷射解鍵合、電漿與濕式清洗後處理需求。
產品選型需依晶圓尺寸、材料特性、膠材系統、載板條件、解鍵合方式與產能需求進一步確認。
歡迎聯絡時轉科技，取得適合您製程條件的鍵合 / 解鍵合設備配置建議。