對應先進封裝、功率元件、化合物半導體與晶圓級整合需求
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    AI / HBM / CoWoS / InFO

    AI 與高效能運算推動 HBM、CoWoS 與 InFO 等先進封裝需求成長，相關製程需要穩定的晶圓支撐、DRAM 薄化、TSV 堆疊與高精度鍵合 / 解鍵合能力。時轉科技可依晶圓尺寸、膠材與背面製程條件，協助客戶配置臨時鍵合、解鍵合與後處理模組。

    關鍵製程需求
    • DRAM 晶圓薄化
    • TSV 堆疊支撐
    • 先進封裝薄化與背面製程支撐
    • CoWoS / InFO 製程載體支撐
    • 高密度封裝前段支撐
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    FOPLP / CoPoS

    面板級封裝與 CoPoS 製程朝向大尺寸載板發展，核心挑戰在於翹曲控制、位移控制、大面積均勻加壓與雷射剝離穩定性。時轉科技可對應 310 / 510 平台需求，提供面板級鍵合、雷射解鍵合、電漿與濕式清洗等模組化配置。

    關鍵製程需求
    • 310 / 510 平台載板鍵合
    • 大尺寸載板翹曲控制
    • Bonding Shift 控制
    • 雷射解鍵合
    • 電漿與濕式清洗後處理
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    InP / GaN / GaAs

    InP、GaN、GaAs 等化合物半導體材料具備高硬度、脆性與材料差異性，薄化與背面製程中需要低應力鍵合、穩定載體支撐與合適的解鍵合方式，以降低材料破損與製程風險。時轉科技可依材料、晶圓尺寸、膠材與熱條件，評估對應的鍵合與熱滑移分離配置。

    關鍵製程需求
    • 高硬脆材料薄化
    • 低應力鍵合
    • 熱滑移分離
    • 化合物晶圓載體支撐
    • 材料相容性評估
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    SiC / Power Device

    SiC、IGBT、MOSFET 與功率元件背面製程需要穩定的薄晶圓支撐與低損傷解鍵合能力，以支援功率元件薄化、UV 固化、撕膜與解鍵合後清洗需求。時轉科技可依膠材、晶圓厚度與分離方式，配置 UV 固化臨時鍵合、雷射 / 撕膜解鍵合與後處理模組。

    關鍵製程需求
    • SiC / Power Device 晶圓薄化
    • IGBT / MOSFET 背面製程
    • UV 固化臨時鍵合
    • 撕膜解鍵合
    • 解鍵合後清洗與表面潔淨度改善
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    CIS / MEMS / RF / Optical

    CIS、MEMS、RF 與光通訊元件常涉及晶圓級堆疊、真空封裝、精密貼合與異質材料整合，對對位、潔淨度與製程穩定性有較高要求。時轉科技可依應用需求，協助評估臨時鍵合、永久鍵合、混合鍵合或異質整合相關製程配置。

    關鍵製程需求
    • 晶圓級堆疊
    • 真空封裝
    • 光通訊元件精密貼合
    • MEMS / RF 元件製程支撐
    • 依應用需求延伸至永久鍵合、混合鍵合或異質整合製程
不同應用領域對晶圓尺寸、材料特性、膠材、解鍵合方式與清洗條件皆有不同需求。
歡迎聯絡時轉科技，依您的市場應用與製程條件，取得合適的鍵合 / 解鍵合設備配置建議。