化合物半導體 InP / GaN / GaAs 製程解決方案
Temporary Bonding & Thermal Slide Debonding for Compound Semiconductors
InP、GaN、GaAs 等化合物半導體材料常應用於光通訊、RF、功率元件與光電元件製程。此類材料具備高硬脆特性，在晶圓薄化、搬運、鍵合與解鍵合過程中，需要低應力支撐與穩定分離能力。
化合物半導體製程的核心挑戰
- High-Brittleness Materials：InP、GaN、GaAs 等材料在薄化與搬運過程中對應力更敏感。
- Low-Stress Bonding：需要在支撐強度與低應力之間取得平衡。
- Wafer Thinning Support：薄化過程需要穩定 carrier support，降低破片與翹曲風險。
- Thermal Slide Debonding：針對特定膠材與薄晶圓應用，熱滑移解鍵合可提供穩定分離路線。
時轉科技的化合物半導體解決方案
時轉科技提供 6 / 8 吋化合物半導體製程所需的臨時鍵合與熱滑移解鍵合設備，協助客戶處理 InP、GaN、GaAs 等高硬脆材料薄化、搬運與分離需求。
對應設備
WT-WIBW-08 / WT-WIBT-08 熱固化臨時鍵合機
WT-WIBW / WT-WIBT 系列可對應化合物半導體晶圓薄化與背面製程支撐需求，提供塗布、烘烤、鍵合與量測整合能力。
- 應用：InP / GaN / GaAs / Compound Semiconductor
- 功能：Coating / Baking / Bonding / TTV Measurement
- 重點：低應力支撐、高硬脆材料薄化與薄晶圓搬運可靠性
查看 WT-WIBW / WT-WIBT 系列熱固化臨時鍵合機詳細規格 →
WT-WIDS-08 熱滑移解鍵合機
WT-WIDS-08 為熱滑移解鍵合平台，對應薄晶圓與特定膠材系統的熱滑移分離、清洗與自動化傳送需求。
- 應用：InP / GaN / GaAs / Thin Wafer Debonding
- 功能：Thermal Slide Debonding / Wet Cleaning / Auto Processing
- 重點：低損傷分離、薄晶圓搬運與清洗整合
典型製程流程
Temporary Bonding → Wafer Thinning / Backside Process → Thermal Slide Debonding → Wet Cleaning
與我們討論您的化合物半導體製程需求
如果您正在評估 InP、GaN、GaAs 或其他化合物半導體晶圓薄化所需的臨時鍵合與熱滑移解鍵合設備，歡迎與時轉科技聯繫。我們可以依據材料特性、晶圓尺寸、膠材系統與薄化目標，協助評估合適的設備配置。