功率元件 SiC / IGBT / MOSFET 製程解決方案

UV Temporary Bonding & Laser Peel-Off Debonding for Power Devices

功率元件製程如 SiC、IGBT、MOSFET 與 Power IC，常涉及晶圓背面薄化、背面金屬化與低損傷解鍵合需求。此類製程重點在於提供足夠支撐，同時降低高溫、高壓、殘膠與解鍵合拉力對元件的影響。

功率元件製程的核心挑戰

  • Backside Processing：支撐晶圓完成背面薄化、CMP、PVD、金屬化與相關後段製程。
  • Low-Stress Bonding：降低高壓與熱應力對正面元件結構的影響。
  • UV Curing：利用 UV 光固化方式對應低壓、快速固化與多材料膠材需求。
  • Peel-Off Debonding：雷射釋放後以撕膜方式移除膠層，降低濕洗與殘膠風險。

時轉科技的功率元件解決方案

時轉科技提供 UV 光固化臨時鍵合與雷射撕膜解鍵合設備，協助客戶處理 SiC、IGBT、MOSFET 與 Power IC 背面加工製程中的支撐、分離與去膠需求。

對應設備

WT-WIBU-08 / WT-WIBU-12 光固化臨時鍵合機

WT-WIBU 系列為 UV 光固化臨時鍵合平台，適用於功率元件背面加工、低壓貼合與 UV 膠材製程。

  • 應用：SiC / IGBT / MOSFET / Power IC
  • 功能：Coating / Bonding / UV Curing / THK & TTV Measurement
  • UV 波長：365 nm / 405 nm

查看 WT-WIBU-08 / WT-WIBU-12 光固化臨時鍵合機詳細規格 →

WT-WIDF-12 雷射及撕膜解鍵合機

WT-WIDF 系列為雷射解鍵合與撕膜去膠平台，適用於 UV route 後的 Carrier Separate、Laser Release 與 Peel-Off 去膠需求。

  • 應用：Power Device / IGBT / MOSFET / UV Adhesive Route
  • 功能：Laser Debonding / Carrier Separation / Peel-Off
  • 雷射：355 nm 或 1064 nm 配置

查看 WT-WIDF-12 雷射及撕膜解鍵合機詳細規格 →

典型製程流程

UV Temporary Bonding → Backside Grinding / CMP / Metallization → Laser Release → Carrier Separation → Peel-Off

與我們討論您的功率元件製程需求

如果您正在評估 SiC、IGBT、MOSFET 或 Power IC 背面製程所需的 UV 臨時鍵合與雷射撕膜解鍵合設備，歡迎與時轉科技聯繫。我們可以依據晶圓尺寸、膠材系統、薄化厚度與去膠需求，協助評估合適的設備配置。

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